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配备EUV技术的6nm!紫光展锐发布新品牌5G芯片

日期:2022年08月04日

       图片来源:台积电陈平在紫光展锐2020春季线上发布会上发言。 EUV的原理是什么?光刻基本上是一种投影系统, 可以投射光并穿透带有印刷电路的光掩模。光学原理在涂有光敏剂的硅晶片上打印图案并将其曝光。当通过蚀刻去除未曝光部分时, 图案将显露出来。在光刻技术中,

提高分辨率主要有三种方式:一是增加光学系统的数值孔径;二是降低曝光光源的波长;三是优化制度。与DUV相比, EUV用13.5nm的极紫外代替了193nm波长的短波紫外, 在光刻精密图案上自然更有优势, 可以减少工艺步骤, 提高良率。 EUV技术的难点在哪里?光源难产生:193nm紫外光的光子能量为6.4eV(电子伏特, 能量单位), EUV的光子能量高达91~93eV!出来了, 不是激光也不是灯泡, 它的生成方式听起来很不正常, 需要将锡熔化成液体, 然后一滴一滴滴落, 在滴落过程中用激光轰击锡珠, 让它熔化。
       在等离子体状态下, 可以释放极紫外光。这样的光源时间长了会在里面溅出很多锡粒, 一定要定期清洗。图片来源:Cymer:极紫外 (EUV) LithographyLightSources的发光过程是困难的:EUV不仅能量高, 而且对物质的影响极强, 几乎可以被任何原子吸收, 因此传播路径必须是完全真空的。要将 EUV 聚焦到正确的形状, 只有这个由 6 个凹面镜组成的系统才能使用 EUV/X 射线聚焦系统(EUV/X-Rayfocusingsystems)。有效功率转换率低:但即使是镜子, 每个镜子都会吸收30%的EUV, 整个系统有4个用于照明系统的镜子, 6个用于聚焦系统的镜子。 EUV 标线本身也是一个附加镜, 产生 11 次反射。
       在这个过程中, 只有大约 2% 的 EUV 进入了晶圆。由于效率低, 所需的功率也急剧增加。 ArF光源的平均功率为45W, 而EUV的光源平均功率为500W!成本太高:进口EUV光刻机价格高达1亿欧元, 是DUV光刻机价格的两倍多。
       需要多架 747 来运输整个系统。此外, EUV 光刻机必须在超洁净环境中运行。光罩上落下一点灰尘就会造成严重的良率问题,

对材料技术、工艺控制、缺陷检测等提出了更高的要求。
       最重要的是, EUV 光刻机也非常耗电。它需要消耗功率来疏散整个环境(避免灰尘), 并通过更高的功率来弥补其低能量转换效率。它需要消耗至少150度的电。
       此外,

二次电子对光刻胶的曝光、光化学反应释放的气体、EUV对光掩模的侵蚀等各种问题都必须一一解决。这导致了很长一段时间内 EUV 的输出非常低。在此前公布的信息中, EUV的产量仅为每天1500片。展锐唐古拉T770和T760结合以上知识点,

采用6nm EUV制程工艺的展锐唐古拉T770和T760真的闪耀着高科技和高品质的光彩~

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